fcp

Samsung'dan Çığır Açan Çip Teknolojisi: Arka Tarafta Güç Bağlantısı Olacak

Kemal Y. 23.08.2024 (Güncellenme: 13.09.2024) Takip et
Samsung Electronics, 2-nm teknoloji sürecinde çiplerin arka tarafına güç iletimini entegre ederek performansı artırmayı ve alanı azaltmayı hedefliyor.
Samsung'dan Çığır Açan Çip Teknolojisi: Arka Tarafta Güç Bağlantısı Olacak

Çip üreticileri, çiplerin performansını artırmak ve alan verimliliğini sağlamak için yenilikçi çözümler arayışında. Samsung Electronics, bu alanda önemli bir adım atarak 2-nm teknolojisi çerçevesinde çiplerin arka tarafına güç bağlantısı sağlamayı hedefliyor. Bu teknoloji, çiplerin alanını %17 oranında küçültürken, aynı zamanda performansı ve enerji verimliliğini de artıracak. Samsung'un bu yeni yaklaşımı, çip tasarımı ve üretiminde önemli bir devrim niteliği taşıyor.

Samsung'un Performans ve Enerji Verimliliği Artışı

TrendForce'un Güney Kore medyasına dayandırdığı bilgiye göre, Samsung Foundry PDK Development Team'in başkan yardımcısı Lee Sungjae, bu teknolojinin çiplerin performansını %8 oranında artıracağını ve enerji verimliliğini %15 oranında iyileştireceğini açıkladı. Bu geliştirme, çiplerin daha kompakt ve etkili hale gelmesini sağlarken, aynı zamanda daha az enerji tüketimi ile daha yüksek performans sunacak. Bu, özellikle yüksek performanslı işlemciler ve diğer entegre devreler için büyük bir avantaj sağlayacak.

Intel ve TSMC'nin Benzer Teknolojileri

Samsung'un bu yeniliği, diğer büyük çip üreticilerinin benzer teknolojilere yatırım yapmasıyla birlikte gelişiyor. Intel, PowerVia adı verilen bu tür bir teknolojiyi 20A sürecinde kullanmayı planlıyor ve bu yıl sonunda seri üretime geçmeyi hedefliyor. Diğer yandan, Tayvanlı TSMC, Super PowerRail adını verdiği benzer bir çözümü 2026'da A16 teknolojisi kapsamında uygulamayı planlıyor. Intel'in teknolojisi, RibbonFET transistör yapısını kullanırken, TSMC'nin çözümü "nano-şeritler" içeren transistörler sunacak.

Samsung'un MBCFET ve GAA Teknolojisi

Samsung'un MBCFET adını verdiği son teknolojisi, çiplerin performansını önemli ölçüde artırıyor. İkinci nesil çevreleyen kapı (GAA) transistörleri, çiplerin performansını %30 oranında artırırken, enerji verimliliğini %50 oranında iyileştiriyor ve çip alanını ilk nesil GAA ile karşılaştırıldığında %35 oranında küçültüyor. Arka taraftan güç bağlantısının (BSPDN) bu teknolojiye entegre edilmesi, ek avantajlar sunarak çiplerin genel performansını daha da iyileştiriyor.

Samsung'un 2-nm teknoloji sürecindeki arka taraf güç bağlantısı yeniliği, çip teknolojisinde önemli bir gelişme sağlıyor. Bu tür yeniliklerin çip endüstrisini nasıl etkileyeceği ve diğer üreticilerle rekabeti nasıl şekillendireceği hakkında düşüncelerinizi merak ediyoruz. Yorumlarınızı bizimle paylaşmayı unutmayın!

Kemal Yüce

Commodore 64 ile büyüyen, 99999 in 1 kasetlerde tek oyun çıkınca hayatın gerçek yüzünü öğrenen, teknoloji bağımlısı bir birisi.

Yorum yap

Yorumlar

Bu yazı için henüz bir yorum yapılmamış. İlk yorumu yapan sen ol!