Güç elektroniği, ulaşımın elektrikli hale gelmesiyle günümüzde büyük bir talep görmekte ve bu alandaki en yenilikçi gelişmelerden biri, nitrit galyum (GaN) bileşenlerinin kullanımıdır. Geleneksel silikon bileşenlerine göre daha yüksek sıcaklıklara ve yüklere dayanabilen GaN teknolojisi, Infineon gibi büyük teknoloji şirketlerinin ilgisini çekiyor. Şirket, GaN bileşenlerini 300 mm çapında plakalar üzerinde üretmeye başlayan ilk firma oldu. Bu yenilik, daha dayanıklı ve verimli bileşenlerin üretiminin önünü açıyor.
GaN Bileşenlerinde 300 mm Teknolojisinin Avantajları
Daha önce GaN bileşenleri 200 mm plakalar kullanılarak üretilmekteydi. Ancak Infineon’un geliştirdiği 300 mm teknolojisi, üretim maliyetlerini düşürmede büyük bir adım olarak görülüyor. Plaka çapındaki bu artış, her bir plaka başına %130 daha fazla çip üretimini mümkün kılıyor. Aynı zamanda sabit giderlerin daha büyük bir ürün hacmine yayılmasını sağlayarak maliyet avantajı sunuyor. Infineon, bu yöntemle üretilen ilk GaN bileşenlerinin 2025 yılının dördüncü çeyreğinde müşterilere sunulacağını belirtti.
GaN Bileşenlerinin Kullanım Alanları
Otomotiv sektörü dışında, GaN bileşenlerinin kişisel bilgisayarlar, tüketici elektroniği, sunucu ekipmanları, robotik ve endüstriyel otomasyon gibi alanlarda da kullanılacağı öngörülüyor. Sunucu sistemlerinde, bu tür bileşenlerin kullanılması daha kompakt ve enerji verimli güç kaynaklarının üretilmesine olanak tanıyacaktır. GaN teknolojisinin sağladığı verimlilik artışı, özellikle veri merkezlerinde enerji tüketiminin azalmasına ve maliyetlerin düşmesine katkı sağlayacaktır.
300 mm GaN Plakalarının Üretimi İçin Altyapı Hazır
GaN bileşenlerinin 300 mm çapındaki plakalar üzerinde üretilmesi, mevcut silikon bileşenleri işleyen ekipmanlarla uyumlu olacak şekilde tasarlandı. Bu, fabrikaların büyük yatırımlar yapmadan GaN üretimine geçebilmesini sağlıyor. Infineon’un Avusturya’daki fabrikası, bu yeni üretim sürecini ilk benimseyen tesislerden biri olacak ve bu, şirketin rekabet avantajını daha da artıracak.
GaN Bileşenlerinin Maliyeti Düşüyor
Infineon yönetimine göre, GaN bileşenlerinin maliyetleri gelecekte silikon bileşenleriyle aynı seviyeye inecek. Bu hedefe ulaşmada, 300 mm plaka teknolojisi kilit bir rol oynuyor. Ancak bu süreç, malzemenin plakalar üzerinde eşit şekilde dağıtılmasını sağlamak için dikkat gerektiriyor. Yine de bu tür yenilikler, güç elektroniğinde GaN teknolojisinin gelecekte daha geniş çapta benimsenmesini sağlayacak.
Alternatif Yönelim: Silikon Karbür Teknolojisi
GaN teknolojisinin yanı sıra, güç elektroniğinde silikon karbür (SiC) teknolojisi de popüler bir alternatif olarak karşımıza çıkıyor. Ancak bu alanda kullanılan plakaların boyutu henüz 150 mm’den 200 mm’ye çıkarıldı. Infineon, bu alandaki üretimini Malezya’daki dünyanın en büyük silikon karbür fabrikasında gerçekleştiriyor. Bu durum, Infineon’un hem GaN hem de SiC teknolojilerinde lider konumunu koruduğunu gösteriyor.
GaN Bileşenlerinin Pazar Büyümesi
Analiz şirketi Yole’ye göre, nitrit galyum bileşenleri pazarı 2029 yılına kadar dokuz kat büyüyerek 2,25 milyar dolara ulaşacak. Bu hızlı büyüme, GaN teknolojisinin gücünü ve potansiyelini net bir şekilde ortaya koyuyor. Yüksek performans, düşük maliyet ve çok yönlü kullanım alanları ile GaN bileşenleri, geleceğin güç elektroniği çözümlerinde vazgeçilmez olacak.
